技术编号:7045144
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。提供了一种。半导体器件包括在衬底中的深沟槽;在深沟槽的侧表面上的侧壁绝缘膜;在侧壁绝缘膜上的层间绝缘膜;以及在层间绝缘膜中的气隙。专利说明[0001]相关申请的交叉引用[0002]本申请要求于2013年3月29日提交至韩国知识产权局的韩国专利申请第10-2013-0034805号的权益,为了所有目的将其全部公开内容通过引用合并到本文中。 [0003]以下描述涉及半导体器件以及其制造方法,并且涉及在通过硅化物工艺于半导体衬底上形成器件结构(例如源极、漏...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。