技术编号:7045488
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体功率器件,涉及一种横向高压MOS器件及其制造方法。本发明的横向高压器件,其元胞结构包括第一导电类型半导体衬底、设置在第一导电类型半导体衬底中的第二导电类型半导体注入漂移区以及源区和漏区,在第二导电类型半导体注入漂移区上还设置有第二导电类型半导体外延漂移区,所述源区和漏区分别设置在第二导电类型半导体外延漂移区上端面,所述第二导电类型半导体外延漂移区由自下而上依次层叠设置的多个第二导电类型半导体外延子漂移区构成。本发明的有益效果为,极大地降低了...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。