技术编号:7045930
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路领域,更具体地,涉及。背景技术将集成无源器件用在复合信号电路、模拟电路、射频(RF)电路、动态随机存取存储器(DRAM)、嵌入式DRAM电路、逻辑运算电路等中。集成无源器件包括电容器、电感器、变压器、电阻器等。集成无源器件的形成可以与用于形成有源器件的エ艺类似,其中,从硅衬底开始,一层ー层地形成介电层,并且在介电层中形成金属线和通孔。还在介电层中形成无源器件。传统集成无源器件通常经受不能满足RF电路的需要的较低性能。例如,在传统集成无源器...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。