技术编号：7045963
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的示例性实施例涉及半导体制造技术，更具体地，涉及ー种。背景技术随着DRAM(动态随机存取存储器)的集成度的増加，可能难以进一歩集成ニ维 (2D)结构。为了克服这种困难，可以将具有竖直栅极(vertical gate, VG)的三维(3D)DRAM(以下被称为“VG DRAM”)实现成DRAM器件。VG DRAM的单元包括形成在衬底之上的柱体、位线(BL)和竖直栅极。竖直栅极被形成在柱体的侧壁上，并且柱体包括形成在柱体中的源极和漏扱。通过竖直栅极在源极...
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