技术编号:7046239
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。公开了一种。提供了一种沟槽栅极MOS晶体管。该沟槽栅极MOS晶体管包括半导体衬底,具有包括栅极电极的沟槽;源极区;与沟道区邻接的本体接触区,其中所述沟道区中的掺杂物浓度在横向方向上变化,并且在从所述栅极电极到与所述栅极电极分开的所述本体接触区的方向上具有至少一个最小值。进一步提供了一种用于产生晶体管的方法。专利说明 [0001] 本说明书提及用于形成半导体器件的方法的实施例。更进一步地,本说明书提及 具有特殊沟道掺杂的半导体器件一特别是具有特殊沟道掺...
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