技术编号:7046673
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜,包括生长在GaAs衬底上的GaAs缓冲层、生长在GaAs缓冲层上的InGaAsN外延层薄膜。本发明还公开上述生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜的制备方法,GaAs缓冲层和InGaAsN外延层薄膜均采用分子束外延生长方法。本发明得到的InGaAsN薄膜表面平整、成分均匀,带宽为1eV,对半导体器件领域,尤其是太阳电池领域,有着积极的促进意义。专利说明—种生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜及...
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