技术编号:7049217
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造领域,特别是涉及一种横向扩散金属氧化物半导体场效应管(laterally diffused M0SEFT)及其制造方法。背景技术LDMOS由于更容易与CMOS工艺兼容而被广泛采用。与MOS晶体管相比,LDMOS在一些关键器件特性方面,如增益、线性度、开关性能、散热性能以及减少级数等方面具有明显的优势。因而被广泛用于高压功率集成电路中,满足耐高压,实现功率控制等方面的要求。为了提高LDMOS击穿电压,增大输出功率,采用了各种各样的改进技...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。