适用4G通讯要求厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦8dB衰减片的制作方法技术资料下载

技术编号:7049572

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本发明公开了一种适用4G通讯要求厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦8dB衰减片,其包括一低热阻氮化铝陶瓷基片,氮化铝陶瓷基片的尺寸为5mmX2.5mmX1.0mm,氮化绍陶瓷基片的背面厚膜印刷有银浆,氮化铝陶瓷基片的正面厚膜印刷有5个电阻及氮化铝银浆导线,银浆导线之间通过厚膜印刷有5个电阻,电阻和银浆导线成衰减电路,通过改变衰减电路中阻值的尺寸大小和电阻值来获得需要的衰减值,通过优化电路结构设计提局了厚13旲电路氣化绍陶瓷10瓦8dB;§;减片的微波性能获得了更小的...
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