适用4G通讯要求厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦8dB衰减片的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种适用4G通讯要求厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦8dB衰减片，其包括一低热阻氮化铝陶瓷基片，氮化铝陶瓷基片的尺寸为5mmX2.5mmX1.0mm,氮化绍陶瓷基片的背面厚膜印刷有银浆，氮化铝陶瓷基片的正面厚膜印刷有5个电阻及氮化铝银浆导线，银浆导线之间通过厚膜印刷有5个电阻，电阻和银浆导线成衰减电路，通过改变衰减电路中阻值的尺寸大小和电阻值来获得需要的衰减值，通过优化电路结构设计提局了厚13旲电路氣化绍陶瓷10瓦8dB;§;减片的微波性能获得了更小的驻波比以及更好的衰减精度。厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦8dB衰减片，使用频率高、衰减精度高，驻波比小，适用4G通讯要求可达到目前的4G网络的应用要求。
【专利说明】适用4G通讯要求厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦8dB衰减片
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种氮化铝衰减片，特别涉及一种适用4G通讯要求厚膜电路氮化铝 陶瓷10瓦8dB衰减片。
【背景技术】
[0002] 目前集成了多个膜状电阻为一体，通过电阻及线路不同设计的衰减片广泛应用于 雷达，卫星通讯，电子对抗等军事工业和移动电话、PCS和商用基站市场领域。使用负载片 只能单纯地消耗吸收多余的功率，而使用裳减片在吸收反向输入的功率同时还能抽取需要 的信号进行分析，并在高频电路上调整功率电平，去耦，对相关设备起到了保护作用。
[0003] 在国外，特别是欧美国家，对衰减片和负载片研发生产都要比国内起步早很多，无 论在产品的丰富性还是产品微波特性上都处于比较优势地位。同时国内市场上现有的衰减 片系列少，衰减精度低，且能使用的频段相对较窄。我们希望的衰减器是一个功率消耗元 件，不能对两端电路有影响，也就是说，与两端电路都是匹配的。当衰减精度或VSWR达不到 要求时，输出端得到的信号不符合实际要求。
【发明内容】
[0004] 针对上述现有技术的不足，本发明要解决的技术问题是提供一种阻值满足 68. 8 Ω ±3%，在3G频段以内衰减精度为8±0· 5dB，驻波要求输入、输出端在1. 15以内，能 够满足目前4G网络的应用要求的厚膜电路氮化铝陶瓷1〇瓦8dB衰减片，取代国外同类产 品，并在特性上填补国内产品的空白。
[0005] 为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案： 一种适用4G通讯要求厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦8dB衰减片，包括一低热阻氮化铝陶 瓷基片，氮化铝陶瓷基片的尺寸为5mmX2. 5mmX 1.0mm，氮化铝陶瓷基片的背面厚膜印刷 有银浆，氮化铝陶瓷基片的正面厚膜印刷有5个电阻及氮化铝银浆导线，银浆导线之间通 过厚膜印刷有5个电阻，电阻和银浆导线成衰减电路,通过改变衰减电路中阻值的尺寸大 小和电阻值来获得需要的衰减值，通过优化电路结构设计提高了厚膜电路氮化铝陶瓷 10 瓦8dB衰减片的微波性能获得了更小的驻波比以及更好的衰减精度。适用4G通讯要求厚 膜电路氮化铝陶瓷10瓦 8dB衰减片，使用频率高、衰减精度高，驻波比小，可达到目前的4G 网络的应用要求。
[0006] 优选的，所述衰减片基片采用低热阻氮化铝陶瓷基片。
[0007]优选的，所述衰减电路全部采用高精厚膜印刷技术分9道印刷而成。
[0008]优选的，所述衰减电路采用双层保护膜技术。
[0009]上述技术方案具有如下有益效果：低热阻氮化铝陶瓷基片的应用，增加了其散热 的速度，从而提高其功率容量，在更小的尺寸获得了更大的功率，实现了元器件小型化的发 展目标，同时因为尺寸变小，单位面积基片可以生产更多的衰减片，提高了生产效率。高精 度厚膜印刷技术的应用，即使进行9道印刷产品性能的一致性仍然得到了好的保证，双层 保护膜技术的应用，提高了产品微波性能的稳定性。优化的电路结构设计，提高了衰减精 度，减小了驻波比，提高了产品的各项微波性能，使产品性能指标得到提高，在微波性能提 高的同时满足了产品的功率容量要求，改产品的衰减精度达到了 3G以内8±0. 5dB，驻波满 足市场要求，从而使得产品可以应用于4G网络。
[0010]上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段， 并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。 本发明的【具体实施方式】由以下实施例及其附图详细给出。
【专利附图】
【附图说明】
[0011] 图1为本发明实施例的结构示意图。
【具体实施方式】
[0012] 下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细介绍。
[0013] 如图1所示，该适用4G通讯要求厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦8dB衰减片，包括一 尺寸为5mmX2.5mmX 1.0mm的低热阻氮化铝陶瓷基板1，低热阻氮化铝陶瓷基板1的背面 印刷有银浆，低热阻氮化铝陶瓷基板1的正面印刷有银浆导线2及膜状电阻R1、R2、R3，R4、 尺5，膜状电阻1?1、1?2、1?3、1?4、1?5通过银浆导线连接形成衰减电路，衰减电路通过端涂银浆与 背部银浆层连接，从而使衰减电路形成通路。该衰减电路沿陶瓷基板的中心线对称，膜状电 阻R1、R2、R3、R4、R5上印刷有绿色保护膜3,银浆导线2及绿色保护膜3的上表面还印刷有 一层树脂保护膜4,这样可对银浆导线2及膜状电阻Rl、R2、R3、R4、R5形成保护。
[0014]该适用4G通讯要求厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦8dB衰减片要求输入端和接地的阻 值为68_ 8 Ω ±3%，输出端和接地端的阻值为68· 8 Ω ±3%。信号从输入端进入衰减片，经 过5个黑色膜状电阻Rl、R2、R5、R3、R4对功率的逐步吸收，从输出端输出实际所需要的信 号。
[0015]该适用4G通讯要求厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦8dB衰减片，低热阻氮化铝陶瓷基 片的应用，增加了其散热的速度，从而提高其功率容量，在更小的尺寸获得了更大的功率， 实现了元器件小型化的发展目标，同时因为尺寸变小，单位面积基片可以生产更多的衰减 片，提高了生产效率。高精度厚膜印刷技术的应用，即使进行9道印刷产品性能的一致性仍 然得到了好的保^正，双层保护膜技术的应用，提高了产品微波性能的稳定性。优化的电路结 构设计，提高了衰减精度，减小了驻波比，提高了产品的各项微波性能，使产品性能指标得 到提高，在微波性能提高的同时满足了产品的功率容量要求，该产品的衰减精度达到了 3G 以内8±0_ 5dB，驻波满足市场要求，从而使得产品可以应用于4G网络。
[0016]以上对本发明实施例所提供的一种适用4G通讯要求厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦 8dB衰减片进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本发明实施例的思想，在具 体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明 的限制，凡依本发明设计思想所做的任何改变都在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1. 一种适用4G通讯要求厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦8dB衰减片，其特征在于：包括一 低热阻氮化铝陶瓷基片，氮化铝陶瓷基片的尺寸为5mmX2. 5mmXl. Omm，氮化铝陶瓷基片 的背面厚膜印刷有银浆，氮化铝陶瓷基片的正面厚膜印刷有5个电阻及氮化铝银浆导线， 银浆导线之间通过厚膜印刷有5个电阻，电阻和银浆导线成衰减电路，通过改变衰减电路 中阻值的尺寸大小和电阻值来获得需要的衰减值，通过优化电路结构设计提高了厚膜电 路氮化铝陶瓷1〇瓦8dB衰减片的微波性能获得了更小的驻波比以及更好的衰减精度；厚膜 电路氮化铝陶瓷1〇瓦8dB衰减片，使用频率高、衰减精度高，驻波比小，可达到目前的4G网 络的应用要求。
2. 根据权利要求1所述的适用4G通讯要求厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦SdB衰减片，其 特征在于：所述衰减片基片采用低热阻氮化铝陶瓷基片。
3. 根据权利要求1所述的适用4G通讯要求厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦8dB衰减片，其 特征在于：所述衰减电路全部采用高精厚膜印刷技术分9道印刷而成。
4. 根据权利要求1所述的适用4G通讯要求厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦8dB衰减片，其 特征在于：所述衰减电路采用双层保护膜技术。
【文档编号】H01P1/22GK104218282SQ201410231128
【公开日】2014年12月17日 申请日期:2014年5月28日 优先权日:2014年5月28日
【发明者】不公告发明人 申请人:苏州市新诚氏电子有限公司