一种氮化铝陶瓷支架的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及照明的技术领域，尤其涉及一种用于氮化铝陶瓷支架。
【背景技术】
[0002]目前，市场上应用的工矿灯照明光源产品大部分是高压钠灯、小部分是采用在铝基板、铜基板或陶瓷基板上直接固晶并焊线的传统工艺方式生产的固态LED照明光源产品，外加二次透镜。因普通LED光源大多需要使用绝缘胶或银胶来固晶，其热阻一般在12°C /W，热阻相对较高，光源散热存在很大问题。另外采用传统的焊线工艺制作的LED光源，不能承受较大的脉冲电流，更不能在大电流的驱动下长时间稳定工作；因脉冲电流过大或长时间大电流(IA)驱动会导致产品的胶体、金线和芯片P-N结都会受到很大影响，容易造成胶体受热膨胀、断线死灯和芯片结温升高等问题。而且普通LED工矿灯光源不能长期经受高频振动，因长期高频振动极易造成光源出现断线死灯、接触不良等问题，极大降低了产品的使用寿命，普通LED工矿灯的光效普遍在70— 901m/w，出光效率较低且光源与二次透镜是分体的。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于提出一种氮化铝陶瓷支架，旨在提供一种热传导系数好、芯片结合牢固、生成工艺先进及散热效率高的氮化铝陶瓷支架，通过挡墙结构的设计，可避免固晶区的荧光粉之间互相溢出粘连。
[0004]为达此目的，本实用新型采用以下技术方案:
[0005]—种氮化铝陶瓷支架，所述氮化铝陶瓷支架包括由氮化铝陶瓷制成的支架本体，所述支架支体的一面上均匀设有多个固晶区，所述氮化铝陶瓷支架的背面、正面的固晶区和引脚处均有电镀银处理，每个固晶区的周围围坝围墙胶后形成具有挡墙结构的固晶槽，所述固晶槽的底部镀有的金锡合金的覆晶芯片通过助焊剂粘附在所述氮化铝陶瓷支架的固晶区，所述氮化铝陶瓷支架的固晶区固晶的并联数包括预先设置的数目。
[0006]优选地，所述氮化铝陶瓷支架本体的两侧边设有用于与外部电源引线焊接的正电极和负电极。
[0007]优选地，所述氮化铝陶瓷支架的另一面设有与所述散热铜基板回流焊接的陶瓷焊盘。
[0008]优选地，所述氮化铝陶瓷支架本体的表面上镀覆有金层或银层。
[0009]优选地，所述每个固晶槽的槽底上均设有用于固晶定位所述覆晶芯片的定位孔。
[0010]优选地，所述挡墙结构为圆形挡墙结构或者方形挡墙结构或者长方形挡墙结构。
[0011]本实用新型提供一种氮化铝陶瓷支架，所述氮化铝陶瓷支架包括由氮化铝陶瓷制成的支架本体，所述支架支体的一面上均匀设有多个固晶区，所述氮化铝陶瓷支架的背面、正面的固晶区和引脚处均有电镀银处理，每个固晶区的周围围坝围墙胶后形成具有挡墙结构的固晶槽，所述固晶槽的底部镀有的金锡合金的覆晶芯片通过助焊剂粘附在所述氮化铝陶瓷支架的固晶区，所述氮化铝陶瓷支架的固晶区固晶的并联数包括预先设置的数目，能够实现很好的热电分离效果，倒装芯片采用覆晶的方式固定在固晶槽上，不仅可避免银胶固晶过程中因银胶量的不均匀造成光通量的损失，而且使得倒装芯片与支架的结合非常牢固，结合力非常好，芯片不会因环境影响而出现脱落的现象。
【附图说明】
[0012]图1是本实用新型中氮化铝陶瓷支架的俯视图；
[0013]图2是本实用新型中氮化铝陶瓷支架的仰视图；
[0014]主要元件符号说明:
[0015]101为氮化铝陶瓷支架的正电极焊盘，102为氮化铝陶瓷支架的负电极焊盘，103为固晶槽，104为固晶区。
【具体实施方式】
[0016]下面结合附图并通过【具体实施方式】来进一步说明本实用新型的技术方案。
[0017]参考图1，图1是本实用新型中氮化铝陶瓷支架的俯视图。
[0018]在图1中，所述氮化铝陶瓷支架包括由氮化铝陶瓷制成的支架本体，所述支架支体的一面上均匀设有多个固晶区104，所述氮化铝陶瓷支架的背面、正面的固晶区104和引脚处均有电镀金处理，每个固晶区104的周围围坝围墙胶后形成具有挡墙结构的固晶槽103，所述固晶槽103的底部镀有的金锡合金的覆晶芯片通过助焊剂粘附在所述氮化铝陶瓷支架的固晶区104，所述氮化铝陶瓷支架的固晶区104固晶的并联数包括预先设置的数目。
[0019]所述氮化铝陶瓷支架本体的两侧边设有用于与外部电源引线焊接的正电极101和负电极102。
[0020]所述氮化铝陶瓷支架的另一面设有与所述散热铜基板回流焊接的陶瓷焊盘。
[0021]所述氮化铝陶瓷支架本体的表面上镀覆有金层或银层。
[0022]所述每个固晶槽的槽底上均设有用于固晶定位所述覆晶芯片的定位孔。
[0023]所述挡墙结构为圆形挡墙结构或者方形挡墙结构或者长方形挡墙结构。
[0024]本实用新型提供一种氮化铝陶瓷支架，所述氮化铝陶瓷支架包括由氮化铝陶瓷制成的支架本体，所述支架支体的一面上均匀设有多个固晶区，所述氮化铝陶瓷支架的背面、正面的固晶区和引脚处均有电镀金处理，每个固晶区的周围围坝围墙胶后形成具有挡墙结构的固晶槽，所述固晶槽的底部镀有的金锡合金的覆晶芯片通过助焊剂粘附在所述氮化铝陶瓷支架的固晶区，所述氮化铝陶瓷支架的固晶区固晶的并联数包括预先设置的数目，能够实现很好的热电分离效果，倒装芯片采用覆晶的方式固定在固晶槽上，不仅可避免银胶固晶过程中因银胶量的不均匀造成光通量的损失，而且使得倒装芯片与支架的结合非常牢固，结合力非常好，芯片不会因环境影响而出现脱落的现象。
[0025]以上结合具体实施例描述了本实用新型的技术原理。这些描述只是为了解释本实用新型的原理，而不能以任何方式解释为对本实用新型保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本实用新型的其它【具体实施方式】，这些方式都将落入本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种氮化铝陶瓷支架，其特征在于，所述氮化铝陶瓷支架包括由氮化铝陶瓷制成的支架本体，所述支架支体的一面上均匀设有多个固晶区，所述氮化铝陶瓷支架的背面、正面的固晶区和引脚处均有电镀金处理，每个固晶区的周围围坝围墙胶后形成具有挡墙结构的固晶槽，所述固晶槽的底部镀有的金锡合金的覆晶芯片通过助焊剂粘附在所述氮化铝陶瓷支架的固晶区，所述氮化铝陶瓷支架的固晶区固晶的并联数包括预先设置的数目。2.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷支架，其特征在于，所述氮化铝陶瓷支架本体的两侧边设有用于与外部电源引线焊接的正电极和负电极。3.根据权利要求所述I所述的氮化铝陶瓷支架，其特征在于，所述氮化铝陶瓷支架的另一面设有与所述散热铜基板回流焊接的陶瓷焊盘。4.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷支架，其特征在于，所述氮化铝陶瓷支架本体的表面上镀覆有金层或银层。5.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷支架，其特征在于，所述每个固晶槽的槽底上均设有用于固晶定位所述覆晶芯片的定位孔。6.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷支架，其特征在于，所述挡墙结构为圆形挡墙结构或者方形挡墙结构或者长方形挡墙结构。
【专利摘要】本实用新型公开了一种氮化铝陶瓷支架，所述氮化铝陶瓷支架包括由氮化铝陶瓷制成的支架本体，所述支架支体的一面上均匀设有多个固晶区，所述氮化铝陶瓷支架的背面、正面的固晶区和引脚处均有电镀金处理，每个固晶区的周围围坝围墙胶后形成具有挡墙结构的固晶槽，所述固晶槽的底部镀有的金锡合金的覆晶芯片通过助焊剂粘附在所述氮化铝陶瓷支架的固晶区，所述氮化铝陶瓷支架的固晶区固晶的并联数包括预先设置的数目，能够实现很好的热电分离效果，倒装芯片采用覆晶的方式固定在固晶槽上，不仅可避免银胶固晶过程中因银胶量的不均匀造成光通量的损失，而且使得倒装芯片与支架的结合非常牢固，结合力非常好，芯片不会因环境影响而出现脱落的现象。
【IPC分类】H01L33/62, H01L33/48, H01L33/64
【公开号】CN204732438
【申请号】CN201520493161
【发明人】王志成, 朱正光
【申请人】深圳市格天光电有限公司
【公开日】2015年10月28日
【申请日】2015年7月9日