技术编号：7049640
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种半导体器件，其包括衬底和衬底上的第一和第二栅电极。第一栅电极包括第一栅极绝缘膜和第一功能膜，第一栅极绝缘膜具有位于衬底上的底部和从底部延伸并远离衬底的侧壁部分，从而限定具有第一宽度的第一沟槽，第一功能膜填充第一沟槽。第二栅电极包括第二栅极绝缘膜、第二功能膜和金属区，第二栅极绝缘膜具有位于衬底上的底部和从底部延伸的侧壁部分，从而限定具有与第一宽度不同的第二宽度的第二沟槽，第二功能膜适形于第二沟槽中的第二栅极绝缘膜，并限定第三沟槽，金属区在第三...
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