技术编号：7050238
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种多晶铁电薄膜基铁电阻变存储器，在下电极层、多晶铁电薄膜层之间和/或多晶铁电薄膜层、上电极层之间含缺陷调控层；所述缺陷调控层材料的相对介电常数不低于5，且不高于铁电材料相对介电常数，厚度为1～20nm，且缺陷调控层与多晶铁电薄膜层厚度比为0.001～0.2；所述缺陷调控层材料的能带带隙大于3eV，与多晶铁电薄膜的晶格失配小于0.1。通过在下电极层、多晶铁电薄膜层之间和/或多晶铁电薄膜层、上电极层之间植入缺陷调控层，降低了存储单元中的缺陷及其控制...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。