技术编号:7050824
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种LDMOS器件,其漂移区由第一漂移区和第二漂移区组成,第一漂移区由形成于硅衬底的选定区域中的离子注入区组成;第二漂移区由形成于硅衬底表面上的掺杂多晶硅组成,第二漂移区叠加在第一漂移区上,漏区形成在第二漂移区中。本发明的第二漂移区的设置能够使得整个漂移区的厚度增加,从而能降低整个漂移区的寄生电阻越小,并能有效增加器件的线性电流、降低器件的导通电阻;本发明器件还能保持较高的击穿电压且工艺成本低。本发明还公开了一种LDMOS器件的制造方法。专利说...
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