一种稀磁半导体的制备方法技术资料下载

技术编号:7051122

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本发明涉及,该方法如下将硝酸锌和硝酸镍的混合物和丙二酸在醇溶液中溶解后加入三乙胺调节pH至出现沉淀,分离出沉淀,用醇溶液洗涤,干燥得到丙二酸配合物,将所述配合物在空气气氛中于400~800℃下煅烧≥2h,得到一种稀磁半导体Zn1-xNixO,0.05≤x≤0.2。所述方法利用配合物合成达到在氧化锌中均匀掺杂过渡金属镍,煅烧后可获得具有较好磁学性能的稀磁半导体材料。专利说明 [0001] 本发明涉及,具体涉及一种掺杂镍的氧化锌室温稀磁 半导体的制备方法...
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