技术编号：7051123
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种半导体装置。该半导体装置包括在基底上彼此相邻的第一存储单元区域和第二存储单元区域。至少一个有源基体和一个浅沟槽隔离件可以顺序地层叠在第一存储单元区域和第二存储单元区域之间的边界处。第一有源鳍和第二有源鳍形成在浅沟槽隔离件的相应的侧面上，第一有源鳍和第二有源鳍从有源基体突出。至少一个深沟槽隔离件形成在有源基体的一个侧面上。专利说明半导体装置[0001]于2013 年 6 月 21 日提交的名称为 “Semiconductor Device a...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。