技术编号:7051200
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。横向扩散的金属氧化物半导体(LDMOS)包括半导体衬底,在衬底的顶表面中具有STI结构;在STI结构下方的漂移区域以及在STI结构的相对侧上的源极区域和漏极区域。栅极导体在STI结构与源极区域之间的间隙之上的衬底上并且部分地叠置漂移区域。保形电介质层在顶表面上并且在栅极导体上方形成台面。保形电介质层具有嵌入在其中的保形刻蚀停止层。接触突起延伸通过电介质层和刻蚀停止层,并且连接到源极区域、漏极区域和栅极导体。源极电极连接源极接触突起,栅极电极连接栅极接触突起...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。