技术编号：7051595
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。实施例涉及。背景技术由于氮化物半导体具有包括高饱和电子速度、宽带隙等的特征，因此，其可被应用于高击穿电压和高输出半导体装置。例如，作为氮化物半导体的GaN的带隙(例如为3. 4eV)大于Si的带隙(I. IeV)和GaAs的带隙(I. 4eV)，使得GaN具有高击穿场强。因此，GaN可用作电源的功率装置的材料，以进行高电压操作并产生高输出。 在日本公开专利申请53-1859号、日本公开专利申请2005-251910号、日本公开专利申请61-288434号和...
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