技术编号:7052624
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种硅绝缘体(silicon on insulator,简称SOI)单晶芯片结构,特别是指一种对SOI组件而言具有两种以上不同硅层厚度的单晶芯片结构。背景技术请参阅图1,图1为公知SOI单晶芯片结构10的横断面示意图。所谓的SOI芯片结构即是硅(silicon)组件层(active device layer)在绝缘层(insulator)(如二氧化硅)之上。此SOI芯片结构10包含有一组件层12用来做集成电路组件的布局、一绝缘层14位于组件层...
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