技术编号：7053167
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了首先清洗基片，再采用磁控溅射方法，以金属Ni为靶材，沉积得到NiO薄膜，再于500-700℃进行后退火处理；最后以ITO为靶材，制备ITO薄膜顶电极，制得高调谐压控透明氧化镍薄膜电容器。本发明在现有技术的基础上首次采用NiO薄膜制备压控透明电容器，该压控透明电容器调谐率高，驱动电压低，可见光透过性优良，具有良好的应用前景。专利说明 [0001]本发明属于电子信息材料与元器件领域，特别涉及一种新型高调谐压控透明N1薄膜电容器。 背景技术 ...
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