技术编号:7054177
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种光电阴极制备工艺,包括对P型GaN材料进行高温Cs/O循环激活和低温Cs激活,高温Cs/O循环激活步骤之前还包括化学清洗、高温加热净化,高温Cs/O循环激活和低温Cs激活之间还包括低温加热净化,低温Cs激活步骤之后还包括低温Cs/O循环激活;化学清洗包括将样品进行超声波清洗;高温加热净化包括顺序进行的升温步骤、保温步骤和降温步骤;低温加热净化包括低温升温步骤、低温保温步骤和低温降温步骤。本工艺激活程度高,利于产品的产品性能。专利说明光电阴极...
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