技术编号：7054345
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。提供一种。单片集成半导体组件包括包含Si的衬底，氮化镓(GaN)GaN半导体装置在衬底上制作。半导体组件还包括在衬底之中或之上制作的至少一个瞬态电压抑制器(TVS)结构，其中TVS结构与GaN半导体装置电接触。TVS结构配置成在跨GaN半导体装置的所施加电压大于阈值电压时工作在穿通模式、雪崩模式或者它们的组合模式。专利说明 [0001]一般来说，本发明涉及基于氮化镓(GaN)的半导体装置的过电压保护，以及更具体来说，涉及基于GaN的晶体管的过电压保护...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。