技术编号:7054351
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种浅沟槽隔离工艺,包括提供一半导体衬底,且在所述衬底上形成第一硬质掩膜层;在所述开口的侧壁表面依次形成有圆弧状氧化物侧墙以及第二硬质掩膜层;采用刻蚀工艺在所述衬底中形成隔离沟槽;对所述第二硬质掩膜层进行回刻,且在所述隔离沟槽侧壁、底部表面形成内衬层;沉积隔离介质层充满所述隔离沟槽并覆盖所述第一硬质掩膜层的表面,并对所述隔离介质层进行平坦化工艺至剩余的第一硬质掩膜层的表面;采用刻蚀工艺去除所述第一硬质掩膜层,以形成浅沟槽隔离结构。本发明避免了接缝...
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