技术编号:7054708
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种,提高具有存储元件的半导体器件的性能。在半导体衬底(SB)上形成存储元件用的栅极绝缘膜即绝缘膜(MZ),在绝缘膜(MZ)上形成存储元件用的栅极(MG)。绝缘膜(MZ)具有第一绝缘膜、第一绝缘膜之上的第二绝缘膜和第二绝缘膜之上的第三绝缘膜,第二绝缘膜是具有电荷累积功能的高介电常数绝缘膜,并含有铪、硅和氧。第一绝缘膜及第三绝缘膜的各自的带隙比第二绝缘膜的带隙大。专利说明 [0001]本发明涉及,能够良好地利用于例如具有存储元件的。 背景技...
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