技术编号:7055099
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体装置。所述半导体装置具备N型阱(13)、P型体扩散层(14)、N+型源极扩散层(18)、N+型漏极扩散层(19)以及P+型体接触区(32),多个P+型体接触区(32)沿着栅极电极(17a、17b)而设置,多个第一接触孔(25)沿着所述栅极电极而设置,多个第二接触孔(27)沿着所述栅极电极而设置,多个P+型体接触区(32)的间距大于多个第一接触孔(25)的间距。专利说明半导体装置 [0001 ] 本发明涉及一种半导体装置。 背景技...
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