技术编号:7055666
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及栅极先制的高介电常数金属栅极方法所形成的全硅化栅极,当形成场效晶体管时,一个常见的问题是在栅极电极中的金属薄膜和形成在其上的半导体材料(通常是多晶硅)之间的接口处形成的萧特基障壁(Schottky barrier)。本领域中所习知的全硅化栅极可克服这个问题。然而,该源极和漏极区域以及该栅极电极的硅化通常是同时实行,从而阻碍全硅化栅极的形成。本发明所请求的方法提出了二个连续的硅化工艺,他们相对于彼此地分离(decoupled)。在第一硅化工艺中,形...
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