技术编号:7055865
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种半导体器件,其具有形成在衬底上方的沟道层、形成在沟道层之上并且具有比沟道层的禁带宽度更大的禁带宽度的阻挡层、贯通阻挡层直至沟道层的中途的沟槽、以及经由栅极绝缘膜而配置在沟槽的内部的栅极电极。此外,沟槽的底部的端部为圆角形状并且与沟槽的底部的端部接触的栅极绝缘膜为圆角形状。通过如上所描述将沟槽的底部的端部设置有圆度,能够减小位于栅极电极的底部的端部与沟槽的底部的端部之间的、栅极绝缘膜的厚度。因此,也可以在沟槽的底部的端部形成沟道,从而减小沟道的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。