技术编号:7056297
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供半导体装置,其在外周区域内具有用于提高耐压的构造、而且能够抑制形成在元件区域内的半导体元件的损坏。半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域,其配置在元件区域和外周区域;多个第2导电型的第2半导体区域,它们相互隔开间隔地呈点状配置在元件区域的第1半导体区域的上表面,内径是0.5μm~20μm;第2导电型的第3半导体区域,其围着元件区域而配置在外周区域的第1半导体区域的上表面;以及第1电极,其与第2半导体区域和第3半导体区域的上表面接触地配置在第1半...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。