技术编号:7057868
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种,包括步骤提供一带N型硅外延层的硅片做衬底;形成硬掩膜层,进行光刻刻蚀形成第一光刻胶图形,刻蚀形成深沟槽;在深沟槽内填充P型单晶硅;CMP去除硬掩膜层表面的P型多晶硅,形成由P柱和N型薄层组成交替排列的超级结结构;以剩余的硬掩膜层为掩模进行P型杂质注入并形成P型层,P型层自对准形成在各P柱的顶部并扩散后作为超级结半导体器件的P型体区。本发明能减少光罩层次,节省工艺成本;还能优化超结器件的体二极管以及动态特性。专利说明 [0001] 本...
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