技术编号:7057877
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明适用于集成电路制造领域,提供了射频LDMOS器件及其制造方法,所述器件包括P+硅衬底;在所述P+硅衬底上外延形成的P型外延区域;P+下沉区域;源区;多晶硅栅;沟道区;漂移区;漏区。本发明实施例,通过调整射频LDMOS器件的沟道区注入计量,使得射频LDMOS器件的击穿电压得到改变,优化了射频LDMOS器件的性能。专利说明-种射频LDMOS器件及其制备方法 [0001] 本发明属于集成电路制造领域,尤其涉及一种射频LDM0S器件及其制备方法。 背...
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