一种射频ldmos器件及其制备方法
【专利摘要】本发明适用于集成电路制造领域，提供了射频LDMOS器件及其制造方法，所述器件包括：P+硅衬底；在所述P+硅衬底上外延形成的P型外延区域；P+下沉区域；源区；多晶硅栅；沟道区；漂移区；漏区。本发明实施例，通过调整射频LDMOS器件的沟道区注入计量，使得射频LDMOS器件的击穿电压得到改变，优化了射频LDMOS器件的性能。
【专利说明】-种射频LDMOS器件及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于集成电路制造领域，尤其涉及一种射频LDM0S器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种射频LDM0S(横向扩散金 属氧化物半导体）器件。本发明还涉及一种通过沟道注入剂量的改变提高射频LDM0S击穿 电压的方法射频LDM0S器件的制造方法。
【背景技术】 [0003]
[0004] 横向双扩散场效应管（Lateral Double-diffused MOS，LDM0S)是一种市场需求 大、发展前景广的射频功率器件。在射频无线通信领域，基站和长距离发射机几乎全部使用 硅基LDM0S高功率晶体管；此外，LDM0S还广泛应用于射频放大器，如HF、VHF和UHF通信系 统、脉冲雷达、工业、科学和医疗应用、航空电子和WiMAXTM通信系统等领域。由于LDM0S具 有高增益、高线性、高耐压、高输出功率和易与CMOS工艺兼容等优点，硅基LDM0S晶体管已 成为射频半导体功率器件的一个新热点。与SiGe和GaAs工艺相比，虽然Si LDM0S技术的 高频性能和噪声性能并不是最优，但其工艺最为成熟、成本最低、功耗最小、应用也最为广 泛，尤其是随着器件特征尺寸的等比例缩小，LDM0S晶体管的频率和噪声特性也逐渐得到改 善，因此从长远来看，硅基LDM0S射频电路将是未来发展的趋势。
[0005] 如图1所示，是现有射频LDM0S器件的结构示意图；现有射频LDM0S器件的基本结 构包括：
[0006] P+硅衬底101即掺高浓度P型杂质的衬底以及形成于所述P+硅衬底上方的P-外 延层1〇2 ;所述P+硅衬底101的电阻率为0· 01欧姆·厘米?0· 〇2欧姆?厘米，所述P-外 延层102的厚度和掺杂浓度根据器件耐压的要求不同进行设置，如器件耐压为 6〇伏的话， 所述P-外延层102的厚度约为5微米?8微米。
[0007] 利用注入和扩散形成的P+下沉层（P+SINKER) 1〇3,该P+下沉层103穿过所述P-外 延层102并且所述P+下沉层103的底部进入到所述P+硅衬底1〇1中。P阱104,该P阱 104用于形成器件的沟道区。
[0008] 栅极氧化层以及栅极多晶硅1〇8,覆盖于所述P阱104的上方，被所述栅极多晶硅 108的所述P阱104形成沟道区。
[0009] 漂移区105,由形成于所述P-外延层1〇2中的N-掺杂区组成，所述漂移区105和 所述栅极多晶硅108的一侧相邻。
[0010] 源区106,由一 N+掺杂区组成，和所述栅极多晶硅1〇8的另一侧自对准。
[0011] 漏区107,由一 N+掺杂区组成，和所述栅极多晶硅1〇8的相隔一段距离，且是通过 所述漂移区105和所述P阱104相连接。
[0012] 通过金属图形109引出源极S、漏极D和栅极G。从漏区107到漏极D包括了多层 金属层以及用于相邻金属层之间的连接的接触孔和通孔，其中接触孔用于漏区 107和第一 层金属的连接，通孔用于金属层之间的连接。源区106和源极S之间也包括了多层金属层 以及用于相邻金属层之间的连接的接触孔和通孔，源极s也可以是硅片背面的金属110,栅 极多晶硅108和栅极G之间也包括了多层金属层以及用于相邻金属层之间的连接的接触孔 和通孔。
[0013] 所述P+硅衬底101减薄后在背面形成有背面金属110,所述背面金属110通过所 述P+硅衬底101、所述P+下沉层103和所述源极s相连接或作为源极。
【发明内容】
[0014] 本发明实施例的目的在于提供一种射频LDM0S器件及其制备方法，以解决现有技 术的无法优化射频器件击穿电压的问题。
[0015] 本发明实施例是这样实现的，一种射频LDM0S器件，所述器件包括：
[0016] 电阻率为0. 05?0· 15 Ω /cm3的P+硅衬底；
[0017] 在所述P+硅衬底上外延形成的厚度为9 μ m、掺杂浓度为6*1014cm 3?8*1014cm_3 的p型外延区域；
[0018] B 杂质注入剂量为 5. 5*1015cnf2 ?7. 5*1015cnT2、能量为 90 ?110Kev、1050°C 高温 推进时间为180?220min的P+下沉区域；
[0019] 场氧厚度为1. 8?2. 2 μ m的源区；
[0020] 栅氧厚度为|(D~400惠、多晶硅厚度为的多晶硅栅；
[0021] Β 杂质注入剂量为 2*1013cm 2 ?4*1013cm 2、能量为 40 ?60Kev、1000 ?110(TC高 温推进时间为40?60min的沟道区；
[0022] As 杂质注入剂量为 1. l*1012cm-2 ?1. 5*1012cnT2、能量为 140 ?160Kev、1000 ? 1100°C高温推进时间为40?70min、长度为2 μ m?4 μ m的漂移区；
[0023] AS 杂质注入剂量为 4*1015cm_2 ?6*1015cnf2、能量为 80 ?120Kev、900 ?1000°C快 速热处理30min的漏区。
[0024] 本发明实施例的另一目的在于提供一种射频LDM0S器件的制备方法，所述方法包 括：
[0025] 获取沟道区剂量参数；
[0026] 根据预设的计算公式和所述沟道区剂量参数，获取所述射频LDM0S器件的相关参 数；
[0027] 根据所述沟道区剂量参数和所述相关参数制备射频LDM0S器件，包括：
[0028] 制备电阻率为0· 05?0· 15 Ω /cm3的P+硅衬底；
[0029] 在所述P+硅衬底的上方形成厚度为9 μ m、掺杂浓度为6*1014cnf3?8*1014cnf3的 P型外延区域；
[0030] 通过注入剂量为 5. 5*1015cm_2 ?7. 5*1015cnT2、能量为 90 ?llOKev、105(TC高温推 进时间为180?220min的B杂质，扩散形成P+下沉区域；
[0031] 形成场氧厚度为1.8?2. 2μπι的源区；
[0032] 形成栅氧厚度为3?410赢，多晶硅厚度为裏)Q?〇義Α的多晶硅栅；
[0033] 通过注入剂量为2*1013cnf2?4*1013cnf 2、能量为40?60Kev、1000?110CTC高温 推进时间为40?60min的B杂质形成沟道区；
[0034] 通过注入剂量为 1. l*l〇12cnf2 ?1. 5*1015cm-2、能量为 140 ?160Kev、1000 ? 1100°C高温推进时间为40?70min的As杂质，形成长度为2μ m?4μ m的漂移区；
[0035] 通过注入剂量为4*1015cnf2?6*1015cnT 2、能量为80?120Kev、900?1000?快速 热处理30min的As杂质形成漏区。
[0036] 本发明实施例，通过调整射频LDM0S器件的沟道区剂量，使得射频LDM0S器件的击 穿电压得到改变，优化了射频LDM0S器件的性能。
【专利附图】
【附图说明】
[0037]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述 中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些 实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些 附图获得其他的附图。
[0038] 图1是现有技术提供的射频LDM0S器件的结构图；
[0039] 图2是本发明实施例提供的经ISE TCAD工艺仿真得到的LDM0S器件的结构示意 图；
[0040] 图3是本发明实施例提供的不同沟道区注入剂量下LDM0S器件阈值电压随沟道注 入剂量变化关系；
[0041] 图4是本发明实施例提供的不同沟道区注入剂量下LDM0S器件跨导随沟道注入剂 量变化关系。
【具体实施方式】
[0042] 为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对 本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并 不用于限定本发明。
[0043] 为了说明本发明所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。
[0044] 实施例一
[0045] 如图2所示为本发明实施例提供的经ISE TCAD工艺仿真得到的LDM0S器件的结 构示意图，为了便于说明，仅示出与本发明实施例相关的部分，包括：
[0046] 电阻率为0. 05?0. 15 Ω /cm3的P+硅衬底。
[0047] 在本发明实施例中，射频LDM0S(Lateral Double-diffused M0S，简称：横向双扩 散场效应管）器件是制作在P+硅衬底上的，该射频LDM0S器件首先包括：电阻率为0. 05? 0. 15 Ω /cm3的P+娃衬底。
[0048] 在所述P+硅衬底上外延形成的厚度为9 μ m、掺杂浓度为6*1014cm-3?8*1014cm 3 的P型外延区域。
[0049] 在本发明实施例中，在该P+硅衬底之上有通过外延形成的厚度为9 u m、掺杂浓度 为6*1014cm_3?8*1014cm _3的P型外延区域。
[0050] B 杂质注入剂量为 5. 5*1015cm-2 ?7. 5*1015cm_2、能量为 90 ?110Kev、1050°C 高温 推进时间为180?220min的P+下沉区域。
[0051] 在本发明实施例中，该射频LDM0S器件还包括通过注入和扩散形成的B杂质注入 剂量为5. 5*1015cm-2?7. 5*1015cm-2、能量为90?110Kev、105(TC高温推进时间为180? 220min的P+下沉区域。
[0052] 场氧厚度为1. 8?2· 2μπι的源区。
[0053] 在本发明实施例中，该射频LDM0S器件还包括场氧厚度为1. 8?2. 2 μ m的源区。
[0054] 栅氧厚度为300?400 A、多晶硅厚度为4000?5000盖的多晶硅栅。
[0055] 在本发明实施例中，该射频LDM0S器件还包括栅氧厚度为300?400赢、多晶硅厚 度为40謂)-SGO0又的多晶硅栅。
[0056] B 杂质注入剂量为 2*1013cnf2 ?4*1013cm_2、能量为 40 ?60Kev、1000 ?1100°C高 温推进时间为40?60min的沟道区。
[0057] 在本发明实施例中，该射频LDM0S器件还包括B杂质注入剂量为2*10 13cm_2? 4*1013cm_2、能量为40?60Kev、1000?1KKTC高温推进时间为40?60min的沟道区。
[0058] As 杂质注入剂量为 1. l*1012cnT2 ?1· 5*1012cm_2、能量为 140 ?160Kev、1000 ? 1100°C高温推进时间为40?70min、长度为2 μ m?4 μ m的漂移区。
[0059] 在本发明实施例中，该射频LDM0S器件还包括As杂质注入剂量为1. l*1012cnf2? 1. 5*1012cm_2、能量为140?160Kev、1000?1100°C高温推进时间为40? 7〇min、长度为 2 μ m?4 μ m的漂移区。
[0060] AS 杂质注入剂量为 4*1015cm_2 ?6*1015cm_2、能量为 80 ?120Kev、900 ?1000?快 速热处理30min的漏区。
[0061] 在本发明实施例中，该射频LDMOS器件还包括AS杂质注入剂量为4*1015cnf 2? 6*1015cnT2、能量为80?120Kev、900?1000?快速热处理30min的漏区。
[0062] 通过仿真处理，本发明提供的射频LDM0S器件的击穿电压可以为73V，使得射频 LDM0S器件的击穿电压得到优化，其中图3是本发明实施例提供的不同沟道区注入剂量下 LDM0S器件阈值电压随沟道注入剂量变化关系，图4是本发明实施例提供的不同沟道区注 入剂量下LDM0S器件跨导随沟道注入剂量变化关系。
[0063] 作为本发明的一个优选实施例，所述射频LDM0S器件包括：
[0064] 电阻率为0· 08 Ω /cm3的P+硅衬底；
[0065] 厚度为9 μ m、掺杂浓度为7*1014cnT3的P型外延区域；
[0066] B杂质注入剂量为6*1015cnT2、能量为100Kev、1050°C高温推进时间为200min的P+ 下沉区域；
[0067] 场氧厚度为2 μ m的源区；
[0068] 栅氧厚度为3501、多晶硅厚度为4S?0義的多晶硅栅；
[0069] B杂质注入剂量为3*1013cm-2、能量为50Kev、1050?高温推进时间为40?60min的 沟道区；
[0070] As杂质注入剂量为1. 2*1012cm-2、能量为150Kev、1050°C高温推进时间为60min ;
[0071] AS杂质注入剂量为5*1015cm-2、能量为100Kev、950°C快速热处理30min的漏区。
[0072] 通过实施本实施例，射频LDM0S器件的击穿电压可以为72V。
[0073] 作为本发明另一个优选实施例，所述射频LDM0S器件包括：
[0074] 电阻率为0. 07 Ω /cm3的P+硅衬底；
[0075] 厚度为9 μ m、掺杂浓度为8*1014cnf3的P型外延区域；
[0076] B杂质注入剂量为7*1015cm-2、能量为90Kev、1050°C高温推进时间为21〇min的P+ 下沉区域；
[0077] 场氧厚度为2. 2 μ m的源区；
[0078] 栅氧厚度为400氣,多晶硅厚度为f0鎖人的多晶硅栅；
[0079] B杂质注入剂量为4*1013cm-2、能量为40Kev、1100°C高温推进时间为40min的沟道 区；
[0080] As杂质注入剂量为1. 3*1012cm_2、能量为160Kev、1100°C高温推进时间为50min ;
[0081] AS杂质注入剂量为6*1015cnf2、能量为120Kev、1000°C快速热处理30min的漏区。
[0082] 通过实施例本实施例，射频LDM0S器件的击穿电压可以为68V。
[0083] 作为本发明的再一个优选实施例，所述射频LDM0S器件包括：
[0084] 电阻率为0. 05 Ω /cm3的P+硅衬底；
[0085] 厚度为9 μ m、掺杂浓度为6*1014cnT3的P型外延区域；
[0086] B杂质注入剂量为7. 5*1015cm-2、能量为110Kev、1050°C高温推进时间为180min的 P+下沉区域；
[0087] 场氧厚度为1· 8 μ m的源区；
[0088] 栅氧厚度为美、多晶硅厚度为4000A的多晶硅栅；
[0089] B杂质注入剂量为2*1013cm_2、能量为60KeV、1000°C高温推进时间为60min的沟道 区；
[0090] As杂质注入剂量为1. 2*1012cnT2、能量为150Kev、1000°C高温推进时间为50min ;
[0091] AS杂质注入剂量为4*1015cnf2、能量为80Kev、900°C快速热处理30min的漏区。
[0092] 通过实施本实施例，射频LDM0S器件的击穿电压可以为71V。
[0093] 实施例二
[0094] 如图3所示为本发明实施例提供的射频LDM0S器件制备方法的流程图，所述方法 包括以下步骤：
[0095] 本实施例首先获取沟道区剂量参数，根据预设的计算公式和获取的沟道区剂量参 数，获取射频LDM0S器件的相关参数，最后根据沟道区剂量参数和所述相关参数制备射频 LDM0S器件，其制备过程具体包括：
[0096] 在步骤S301中，制备电阻率为0.05?0. 15 Ω/cm3的P+硅衬底。
[0097] 在本发明实施例中，射频LDMOS(Lateral Double-diffused M0S，简称：横向双扩 散场效应管）器件是制作在P+硅衬底上的，该射频LDM0S器件首先需要：制备电阻率为 0. 05 ?0. 15 Ω/cm3 的 P+硅衬底 201。
[0098] 在步骤S302中，在所述P+硅衬底的上方形成厚度为9μηι、掺杂浓度为 6*10 14cnf3 ?8*1014cm-3 的 Ρ 型外延区域。
[0099] 在本发明实施例中，在制备了 P+硅衬底之后，需要通过外延在所述P+硅衬底的上 方形成厚度为9 μ m、掺杂浓度为6*1014cm 3?8*1014cm 3的P型外延区域。
[0100] 在步骤S303中，通过注入剂量为5. 5*1015cnf2?7. 5*1015cm2、能量为90? 110Kev、105(TC高温推进时间为180?220min的B杂质，扩散形成P+下沉区域。
[0101] 在本发明实施例中，在形成P型外延区域的步骤之后，通过注入剂量为 5. 5*1015cm_2 ?7. 5*1015cnf2、能量为 90 ?ll〇Kev、1050°C高温推进时间为 180 ?220min 的 B杂质，扩散形成P+下沉区域。
[0102] 在步骤S304中，形成场氧厚度为I.8?2.2um的源区。
[0103] 在本发明实施例中，在通过扩散形成P+下沉区域的步骤之后，形成场氧厚度为 1. 8?2. 2μηι的源区。
[0104] 在步骤S305中，形成栅氧厚度为300-4Θ01多晶硅厚度为40〇〇?節_ Α的多 晶娃栅。
[0105] 在本发明实施例中，在形成源区的步骤之后，该制备方法形成栅氧厚度为 30Q?400 A、多晶硅厚度为400M0_義的多晶硅栅。
[0106] 在步骤S306中，通过注入剂量为2*1013cnf2?4*10 13cnT2、能量为40?60Kev、 1000?1100°C高温推进时间为40?60min的B杂质形成沟道区。
[0107] 在本发明实施例中，在形成多晶硅的步骤之后，通过注入剂量为2*1013cnT 2? 4*1013cnf2、能量为40?60Kev、1000?ll〇〇°C高温推进时间为40?60min的B杂质形成 沟道区。
[0108] 在步骤S307中，通过注入剂量为1. l*l〇12cm_2?1. 5*1015cnf2、能量为140? 160Kev、1000?1100°C高温推进时间为40?70min的As杂质，形成长度为2 μ m?4 μ m 的漂移区。
[0109] 在本发明实施例中，在形成沟道区的步骤之后，通过注入剂量为1. l*1012cnT2? 1. 5*1015cm 2、能量为140?160Kev、1000?ll〇〇°C高温推进时间为40?70min的As杂质， 形成长度为2 μ m?4μ m的漂移区。
[0110] 在步骤S308中，通过注入剂量为4*1015cnf2?6*10 15cnf2、能量为80?120Kev、 900?l〇〇〇°C快速热处理30min的As杂质形成漏区。
[0111] 在本发明实施例中，在形成漂移区的步骤之后，通过注入剂量为4*1015cnT 2? 6*1015cnT2、能量为80?120Kev、900?1000°C快速热处理30min的As杂质形成漏区。
[0112] 通过仿真处理，通过本实施例提供的射频LDM0S器件的制备方法，可以制备击穿 电压为73V的射频LDM0S器件，是的射频LDM0S器件的击穿电压得到优化。
[0113] 作为本发明的一个优选实施例，所述制备射频LDM0S器件的方法，包括以下步骤：
[0114] 1、制备电阻率为0.08 Ω/cm3的P+硅衬底；
[0115] 2、在所述P+硅衬底的上方形成厚度为9μπι、掺杂浓度为7*1014cnf 3的P型外延区 域；
[0116] 3、通过注入剂量为6*1015cnf2、能量为100Ke V、1050°C高温推进时间为200min的B 杂质，扩散形成P+下沉区域；
[0117] 4、形成场氧厚度为2μηι的源区；
[0118] 5、形成栅氧厚度为350 Α,多晶硅厚度为4$0Q Α的多晶硅栅；
[0119] 6、通过注入剂量为3*1013cnT2、能量为50Kev、105(TC高温推进时间为40?60min 的B杂质形成沟道区；
[0120] 7、通过注入剂量为1. 2*1012cm-2、能量为150Kev、105(TC高温推进时间为60min的 As杂质；
[0121] 8、通过注入剂量为5*1015cnT 2、能量为100Kev、95〇°C快速热处理30min的As杂质 形成漏区。
[0122] 通过使用本实施例提供的制备方法，可以制备击穿电压为72V的射频LDM0S器件。
[0123] 作为本发明的另一个优选实施例，所述射频LDM0S器件的制备方法，包括以下步 骤：
[0124] 1、制备电阻率为0· 07Ω/αη3的P+硅衬底；
[0125] 2、在所述Ρ+硅衬底的上方形成厚度为9μηκ掺杂浓度为8*1014cnf 3的Ρ型外延区 域；
[0126] 3、通过注入剂量为7*1015cm-2、能量为90Kev、1050°C高温推进时间为210min的B 杂质，扩散形成P+下沉区域；
[0127] 4、形成场氧厚度为2. 2μιη的源区；
[0128] 5、形成栅氧厚度为400人、多晶硅厚度为5000Α的多晶硅栅；
[0129] 6、通过注入剂量为4*1013cm-2、能量为40Kev、1100°C高温推进时间为40min的Β杂 质形成沟道区；
[0130] 7、通过注入剂量为1. 3*1012cnf2、能量为160Kev、1100°C高温推进时间为50min的 As杂质；
[0131] 8、通过注入剂量为6*1015cm-2、能量为120Kev、1000°C快速热处理30min的As杂质 形成漏区。
[0132] 通过使用本实施例提供的制备方法，可以制备击穿电压为68V的射频LDM0S器件。 [0133]作为本发明的再一个优选实施例，所述射频LDM0S器件的制备方法，包括以下步 骤：
[0134] 1、制备电阻率为0.05 Ω/cm3的P+硅衬底；
[0135] 2、在所述P+硅衬底的上方形成厚度为9 μ m、掺杂浓度为6*1014cm-3的P型外延区 域；
[0136] 3、通过注入剂量为7. 5*1015cnT2、能量为110Kev、1050°C高温推进时间为180min的 B杂质，扩散形成P+下沉区域；
[0137] 4、形成场氧厚度为1.8μπι的源区；
[0138] 5、形成栅氧厚度为300人，多晶硅厚度为4000Α的多晶硅栅；
[0139] 6、通过注入剂量为2*1013cnT2、能量为60Kev、1000°C高温推进时间为60min的Β杂 质形成沟道区；
[0140] 7、通过注入剂量为1. 2*1012cnT2、能量为150Kev、1000°C高温推进时间为50min的 As杂质；
[0141] 8、通过注入剂量为4*1015cm-2、能量为80Kev、900°C快速热处理30min的As杂质形 成漏区。
[0142] 通过使用本实施例提供的制备方法，可以制备击穿电压为71V的射频LDM0S器件。
[0143] 本领域普通技术人员还可以理解，实现上述实施例方法中的全部或部分步骤是可 以通过程序来指令相关的硬件来完成，所述的程序可以在存储于一计算机可读取存储介质 中，所述的存储介质，包括ROM/RAM、磁盘、光盘等。
[0144] 以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精 神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1. 一种射频LDMOS器件，其特征在于，所述器件包括： 电阻率为0. 05?0. 15Q/cm3的P+娃衬底； 在所述P+硅衬底上外延形成的厚度为9iim、掺杂浓度为6*1014cm_3?8*1014cm_3的P型外延区域； B杂质注入剂量为5. 5*1015cnT2?7. 5*1015cnT2、能量为90?110Kev、1050°C高温推进 时间为180?220min的P+下沉区域； 场氧厚度为1. 8?2. 2iim的源区； 栅氧厚度为300?400A、多晶硅厚度为4000?5000A的多晶硅栅； B杂质注入剂量为2*1013cnT2?4*1013cnT2、能量为40?60Kev、1000?IKKTC高温推 进时间为40?60min的沟道区； As杂质注入剂量为I.l*1012cnT2 ?I. 5*1012cnT2、能量为 140 ?160Kev、1000 ?1100°C高温推进时间为40?70min、长度为2ym?4ym的漂移区； AS杂质注入剂量为4*1015cnT2?6*1015cnT2、能量为80?120Kev、900?1000°C快速热 处理30min的漏区。
2. 如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件包括： 电阻率为0. 08Q/cm3的P+硅衬底； 厚度为9iim、掺杂浓度为7*1014cm_3的P型外延区域； B杂质注入剂量为6*1015cnT2、能量为100KeV、1050°C高温推进时间为200min的P+下 沉区域； 场氧厚度为2iim的源区； 栅氧厚度为350A、多晶硅厚度为4500A的多晶硅栅； B杂质注入剂量为3*1013cnT2、能量为50KeV、1050°C高温推进时间为40?60min的沟 道区； As杂质注入剂量为I. 2*1012cm_2、能量为150Kev、1050°C高温推进时间为60min; AS杂质注入剂量为5*1015cnT2、能量为100Kev、950°C快速热处理30min的漏区。
3. 如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件包括： 电阻率为0. 07Q/cm3的P+硅衬底； 厚度为9iim、掺杂浓度为8*1014cm_3的P型外延区域； B杂质注入剂量为7*1015cm_2、能量为90KeV、1050°C高温推进时间为210min的P+下沉 区域； 场氧厚度为2. 2iim的源区； 栅氧厚度为400A、多晶硅厚度为5000A的多晶硅栅； B杂质注入剂量为4*1013cm_2、能量为40KeV、1100°C高温推进时间为40min的沟道区；As杂质注入剂量为I. 3*1012cnT2、能量为160Kev、1100°C高温推进时间为50min; AS杂质注入剂量为6*1015cnT2、能量为120KeV、1000°C快速热处理30min的漏区。
4. 如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件包括： 电阻率为0. 05Q/cm3的P+硅衬底； 厚度为9iim、掺杂浓度为6*1014cm_3的P型外延区域； B杂质注入剂量为7. 5*1015cnT2、能量为110KeV、1050°C高温推进时间为180min的P+ 下沉区域； 场氧厚度为I. 8iim的源区； 栅氧厚度为300A、客晶硅厚度为4000A的多晶硅栅； B杂质注入剂量为2*1013cm_2、能量为60KeV、1000°C高温推进时间为60min的沟道区；As杂质注入剂量为I. 2*1012cm_2、能量为150Kev、1000°C高温推进时间为50min; AS杂质注入剂量为4*1015cnT2、能量为80Kev、900°C快速热处理30min的漏区。
5. -种射频LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 获取沟道区剂量参数； 根据预设的计算公式和所述沟道区剂量参数，获取所述射频LDMOS器件的相关参数； 根据所述沟道区剂量参数和所述相关参数制备射频LDMOS器件，包括： 制备电阻率为〇. 05?0. 15Q/cm3的P+硅衬底； 在所述P+娃衬底的上方形成厚度为9iim、掺杂浓度为6*1014cnT3?8*1014cnT3的P型 外延区域； 通过注入剂量为5. 5*1015cnT2?7. 5*1015cnT2、能量为90?110Kev、1050°C高温推进时 间为180?220min的B杂质，扩散形成P+下沉区域； 形成场氧厚度为1. 8?2. 2iim的源区； 形成栅氧厚度为300?400A、多晶硅厚度为4000?5000A的多晶硅栅； 通过注入剂量为2*1013cnT2?4*1013cnT2、能量为40?60Kev、1000?1100°C高温推进 时间为40?60min的B杂质形成沟道区； 通过注入剂量为I.l*l〇12cnT2 ?I. 5*1015cnT2、能量为 140 ?160Kev、1000 ?IKKTC高 温推进时间为40?70min的As杂质，形成长度为2iim?4iim的漂移区； 通过注入剂量为4*1015cnT2?6*1015cnT2、能量为80?120Kev、900?1000°C快速热处 理30min的As杂质形成漏区。
6. 如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法包括： 获取沟道区剂量参数； 根据预设的计算公式和所述沟道区剂量参数，获取所述射频LDMOS器件的相关参数； 根据所述沟道区剂量参数和所述相关参数制备射频LDMOS器件，包括： 制备电阻率为〇. 08Q/cm3的P+硅衬底； 在所述P+硅衬底的上方形成厚度为9iim、掺杂浓度为7*1014cnT3的P型外延区域； 通过注入剂量为6*1015cnT2、能量为100KeV、1050°C高温推进时间为200min的B杂质， 扩散形成P+下沉区域； 形成场氧厚度为2pm的源区； 形成栅氧厚度为350A、多晶硅厚度为4500A的多晶硅栅； 通过注入剂量为3*1013cnT2、能量为50KeV、1050°C高温推进时间为40?60min的B杂 质形成沟道区； 通过注入剂量为I. 2*1012cm_2、能量为150KeV、1050°C高温推进时间为60min的As杂 质； 通过注入剂量为5*1015cnT2、能量为100KeV、950°C快速热处理30min的As杂质形成漏 区。
7. 如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法包括： 获取沟道区剂量参数； 根据预设的计算公式和所述沟道区剂量参数，获取所述射频LDMOS器件的相关参数； 根据所述沟道区剂量参数和所述相关参数制备射频LDMOS器件，包括： 制备电阻率为〇. 07Q/cm3的P+硅衬底； 在所述P+硅衬底的上方形成厚度为9iim、掺杂浓度为8*1014cnT3的P型外延区域； 通过注入剂量为7*1015cm_2、能量为90KeV、1050°C高温推进时间为210min的B杂质，扩 散形成P+下沉区域； 形成场氧厚度为2. 2iim的源区； 形成栅氧厚度为400A、多晶硅厚度为5000A的多晶硅栅； 通过注入剂量为4*1013cm_2、能量为40Kev、1100°C高温推进时间为40min的B杂质形成 沟道区； 通过注入剂量为I. 3*1012cm_2、能量为160KeV、1100°C高温推进时间为50min的As杂 质； 通过注入剂量为6*1015cm_2、能量为120Kev、1000°C快速热处理30min的As杂质形成漏 区。
8. 如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法包括： 获取沟道区剂量参数； 根据预设的计算公式和所述沟道区剂量参数，获取所述射频LDMOS器件的相关参数； 根据所述沟道区剂量参数和所述相关参数制备射频LDMOS器件，包括： 制备电阻率为〇. 05Q/cm3的P+硅衬底； 在所述P+硅衬底的上方形成厚度为9iim、掺杂浓度为6*1014cnT3的P型外延区域； 通过注入剂量为7. 5*1015cnT2、能量为110KeV、1050°C高温推进时间为180min的B杂 质，扩散形成P+下沉区域； 形成场氧厚度为I. 8iim的源区； 形成栅氧厚度为300人、多晶硅厚度为4000A的多晶硅栅； 通过注入剂量为2*1013cm_2、能量为60Kev、1000°C高温推进时间为60min的B杂质形成 沟道区； 通过注入剂量为I. 2*1012cm_2、能量为150KeV、1000°C高温推进时间为50min的As杂 质； 通过注入剂量为4*1015cm_2、能量为80Kev、900°C快速热处理30min的As杂质形成漏 区。
【文档编号】H01L21/265GK104241381SQ201410459484
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年9月10日 优先权日:2014年9月10日
【发明者】杜寰 申请人:上海联星电子有限公司