技术编号：7058458
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种沟槽型IGBT及制备方法，通过硅衬底中间区域增加掺杂较重的P型区和N型区，诱导电子流向N结型区集中，并穿过P型区区域，通过P型体区最终到达集电极，由于电中性原则，电子的集中增加了电子在N型区外围的浓度，这提高了空穴在N型区外围的浓度，从而提高了该区域的电导调制效应，而空穴则通过P型区扩散至发射极；本发明利用了电荷平衡原则，通过增加在该区域的电场强度，因此使得在相同漂移区厚度下可以获得更大的电压，进而降低厚度和提高电导调制效应，有效降低了器件...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。