技术编号:7058463
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明题为。提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括提供含有碳化硅的半导体层,其中该半导体层包含掺杂有第一掺杂剂类型的第一区域。该方法进一步包括使用单一注入掩模和大体近似的注入剂量向半导体层注入第二掺杂剂类型,以在半导体层内形成第二区域和结终端延伸(JTE),其中注入剂量在从约2×1013cm-2到约12×1013cm-2的范围内。还提供多个半导体器件。专利说明 背景技术 [0001]本发明通常涉及制造半导体器件的方法,并且更具体地,涉及运用结终端延伸...
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