技术编号：7058566
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及形成应力层于鳍式场效晶体管半导体器件的方法及器件，公开一种方法，包括形成具有凹槽的凸起隔离结构于衬底上方，形成栅极结构于鳍片上方，形成多个分隔的掩埋鳍片接触结构于所述凹槽内且形成应力诱导材料层于所述掩埋鳍片接触结构上方。一种器件，包括多个分隔的掩埋鳍片接触结构，位于凸起隔离结构中的凹槽内栅极结构的相对侧上，应力诱导材料层形成于所述掩埋鳍片接触结构上方，且源极/漏极接触延伸穿过所述应力诱导层。专利说明形成应力层于鳍式场效晶体管半导体器件的方法及器件...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。