技术编号:7058628
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种高光效、低光衰以及高封装良率LED芯片,其层结构依次包括衬底(1)、缓冲层(2)、N型层(3)、N型分别限制层(4)、发光区层(5)、P型分别限制层(6)、P型层(7)、P型欧姆接触层(8)、光穿透层(9)、二氧化硅层(10)、金属层(11),其特征在于该芯片蚀刻成梯台结构并形成环状N型电极和P型电极,P型电极被环状N型电极包围,所述环状N型电极和所述P型电极与PCB板连接的焊锡面处于同一水平面。本发明由于芯片结构包括N型电极和P型电极,使得...
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