技术编号:7060122
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种。其中,该半导体器件结构包括衬底,具有沟槽,沟槽的开口位于衬底的第一表面;有源区,设置于沟槽两侧的衬底中;栅极结构,包括设置于沟槽表面上的栅氧层、设置于栅氧层表面上的第一多晶硅层和设置于第一多晶硅层上的第二多晶硅层,第一多晶硅层为非掺杂多晶硅或者轻掺杂多晶硅,第二多晶硅层为重掺杂多晶硅。上述半导体器件结构同时实现了沟槽两侧衬底上多晶硅的彻底刻蚀,以及位于沟槽侧壁上的多晶硅对有源区的很好覆盖,进而减少了器件性能的失效和成品率的损失。专利说明 ...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。