技术编号：7063859
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种改善STI边缘外延层的性能的方法及其对应的半导体结构，该方法包括在半导体衬底上依次形成衬垫氧化层和衬垫氮化层,所述衬垫氧化层的厚度大于100埃；对所述衬垫氧化层和衬垫氮化层进行刻蚀，形成开口；沿所述开口进行刻蚀工艺，形成沟槽；在所述沟槽中填充介质材料，形成STI结构，所述STI结构的上表面高于所述半导体衬底的表面100-200埃；在所述STI结构之间的半导体衬底上形成栅极结构；进行刻蚀工艺，去除STI结构与栅极结构之间的半导体衬底，形成外延开...
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