技术编号:7063887
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种具有过渡层的晶硅及锗化硅薄膜复合型单结PIN太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池在n型硅晶片的前表面或者在n型硅晶片的背表面或者在n型硅晶片的前表面和背表面同时设有过渡层;所述过渡层为一层或者多层,其中任意一层均为富硅氧化硅层。所述制备方法在硅片完成制绒、抛光和清洗后,加入了前氢化干燥处理,同时,在完成此过渡层的工艺后,加入了后氢化处理方式,两种方法用于改善界面质量和结构的稳定性。采用这种过渡层并采用了前氢化干燥处理和后氢化处理过的具有过...
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