技术编号：7064085
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种，包括如下步骤提供一半导体衬底，刻蚀半导体衬底以形成若干鳍状立柱；沉积栅电极材料层将鳍状立柱和半导体衬底暴露的表面予以覆盖；制备一硬掩膜层将一预设区域中的栅电极材料层的表面进行覆盖；制备一牺牲层，将预设区域中栅电极材料层顶部平面以上的硬掩膜层予以去除，以保留该预设区域中鳍状立柱两侧的硬掩膜层；利用该预设区域中栅电极材料层两侧的硬掩膜层作为刻蚀掩膜，对该预设区域中的栅电极材料层以及鳍状立柱进行刻蚀，以将该预设区域中鳍状立柱两侧的栅电极材料层断...
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