技术编号:7064592
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种内嵌折叠栅马鞍形绝缘隧穿增强晶体管,对比同尺寸MOSFETs或TFETs器件,具有低寄生电容和低反向泄漏电流的优点。利用隧穿绝缘层阻抗与其内部场强间极为敏感的相互关系实现优秀的开关特性;通过发射极将隧穿信号增强实现了优秀的正向导通特性;另外本发明还提出了一种内嵌折叠栅马鞍形绝缘隧穿增强晶体管单元及其阵列的具体制造方法。该晶体管显著改善了纳米级集成电路单元的工作特性,适用于推广应用。专利说明内嵌折叠栅马鞍形绝缘隧穿増强晶体管及其制造方法 ...
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