技术编号:7065243
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种复合透明导电电极的LED芯片,包括依次生长在衬底上的氮化镓缓冲层、N-GaN层、量子阱层、P-GaN层和复合透明电极层,其特征在于所述的N-GaN层上制作有n型电极,复合透明电极层的石墨烯层上制作有p型电极,所述的复合透明电极层由石墨烯层状薄膜和生长在石墨烯层状薄膜上的ZnO纳米棒复合而成,也介绍了该芯片的制作方法。本发明所形成的石墨烯层状薄膜/ZnO纳米棒复合透明电极层,具有防开裂、易加工且透光性能好的优点,使得芯片的接触性能、电流扩展性...
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