技术编号：7065312
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种EEPROM及其制备方法，尤其是一种具有单层多晶的EEPROM及其制备方法，属于半导体的。按照本发明提供的技术方案，所述具有多层单晶的EEPROM，包括半导体基板；在所述半导体基板内的上部设置若干用于数据存储的存储单元，所述存储单元包括控制电容、PMOS编程晶体管以及与所述PMOS编程晶体管串联的PMOS选择晶体管；控制电容通过半导体基板内的隔离介质与PMOS编程晶体管以及PMOS选择晶体管相隔离；本发明结构紧凑，降低加工成本以及工艺复杂度，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。