技术编号：7065902
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种分离栅功率器件的栅极结构，在硅衬底上具有沟槽，沟槽侧壁及底部附着有一层氧化层，沟槽内下部具有分离栅极，分离栅极上部同样覆盖有一层氧化硅，与沟槽侧壁及底部的氧化硅层一起将分离栅极形成包围，沟槽上部为栅极，硅衬底表面为绝缘层，金属引线通过穿通绝缘层的接触孔将栅极引出。所述的栅极为U型结构的多晶硅薄栅，其内部填充满金属钨，接触孔与填充的金属钨连接，将栅极引出。本发明还公开了所述分离栅功率器件的栅极结构的工艺方法。专利说明 [0001] 本发...
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