技术编号：7075912
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及具有多层结构的半导体器件和用于制造该半导体器件的方法。背景技术在半导体器件微型化的趋势中，近年来关注于超越摩尔定律的研究，该研究相对于基底在竖直方向上堆叠元件并且以三维方式连接配线，以替代于以“通过掩膜处理中的进ー步微型化实现更高的集成度”为目的的延续摩尔定律研究。当晶圆级的封装技术开发取得进展时，三维方向上的层叠能够减少元件之间的RC，并且允许降低成本。 例如，日本特开平No. 11-261000公开了首先在第一层的晶圆中形成埋入配线并且在晶圆...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。