技术编号:7075933
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施方式涉及半导体器件。背景技术具有如下半导体器件具有使MOSFET(MetalOxide SemiconductorField EffectTransistor)的栅电极、肖特基势垒ニ极管的阳极电极等,在半导体区域的主面方向及深度方向上延伸的构造。在该半导体器件中,实质的动作区域在主面方向及深度方向上扩展,所以可以达成导通电阻的降低。另ー方面,栅电极的厚度一定,若将用于得到期望的Vth(栅极导通电压)的栅极绝缘膜薄膜化,则有时发生耐压下降、电容增...
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