技术编号:7077084
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种溅射靶及氧化物半导体膜。另外,本发明还涉及半导体器件,尤其涉及将具有规定的电子载体浓度的结晶质氧化铟用作半导体的半导体器件。背景技术包含金属复合氧化物的氧化物半导体膜具有高迁移性及可见光透过性,被用于液晶显示装置、薄膜电致发光显示装置、电泳方式显示装置、粉末移动方式显示装置等开关元件、驱动电路元件等用途。作为这样的包含金属复合氧化物的氧化物半导体膜,氧化锌系结晶性薄膜(专利文献I)受到关注。但是,氧化锌具有缺乏稳定性的缺点,被实用化的例子很少...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。