技术编号:7078117
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种集成电路(IC)的制造方法,尤其涉及一种采用LOCOS (LOCal Oxidation of Silicon)工艺制作多种厚度氧化层时的集成制作方法,属于半导体器件制造领域。背景技术随着集成电路的不断发展,LDM0S(Lateral Double-diffused M0S)工艺将多种耐压规格的器件集成到同一芯片上。其中,常常在同一晶片上采用L0C0S (LOCal Oxidation of Silicon)工艺隔离并同时制作多种耐压规格的器...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。