技术编号：7078735
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型公开了一种生长在Cu衬底的AlN薄膜，其特征在于，包括Cu衬底、AlN缓冲层和AlN薄膜，所述AlN缓冲层生长在Cu衬底上，所述AlN薄膜生长在AlN缓冲层上；所述Cu衬底以(111)面偏(100)方向0.5-1°为外延面。本实用新型通过对外延面的选择及AlN缓冲层缓的设置，获得晶体质量好的生长在Cu衬底的AlN薄膜。专利说明生长在Cu衬底的AIN薄膜 [0001]本实用新型涉及AlN薄膜，特别是涉及一种生长在Cu衬底的AlN薄膜。 背景...
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