技术编号:7079230
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路及其制造领域,尤其涉及。背景技术随着闪存器件尺寸的减少,浮栅(Floating Gate,简称FG)的长度也越来越小,如0.12um闪存的浮栅长度只有0. 12um,而到了 65nm及其以下时,浮栅的长度也会缩小到70nm以下。在制备工艺中,形成浅沟道隔离层图案和浮栅的制备是同时进行,后续工艺是隔离层高温氧化和退火(STI linear oxide and anneal)工艺,通常环境温度会在1000°C以上,由于此时浮栅的侧壁是露...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。