技术编号:7079366
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种功率半导体器件,包括第一导电类型的基底层,具有第二导电类型的下部半导体层;基底层中的有源区,包括第二导电类型的本体区;第一导电类型的源极区,位于本体区中;发射极电极,经由第一槽式触点而连接到所述源极区;从基底层的顶部向下延伸的沟槽,含有屏蔽电极,所述屏蔽电极连接到所述发射极电极;和栅极,至少部分形成在至少一部分源极区和本体区上方并且与所述屏蔽电极电绝缘。专利说明功率半导体器件 [0001]本实用新型涉及功率半导体器件,特别涉及一种改...
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