技术编号:7087008
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,并且特别涉及包括在不同基板上形成且彼此电连接的多个场效应晶体管(FET)的半导体装置以及该半导体装置的制造方法。 背景技术在半导体装置中,诸如FET的半导体元件的尺寸根据摩尔(Moore)的比例定律减小,以改善诸如处理速度和功耗的特性。然而,在半导体装置中,随着尺寸上的进一步减小以及性能上的进一步改善,如何有效地彼此连接半导体元件变得很重要。特别是对于三维结构的半导体装置,其中层叠多个基板,以便堆叠多个基板来改善集成度,已经研究了各种元件的连接...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。